1.3. DIODOS DE PEQUÑA SEÑAL

Para estudiar este tipo de diodos, tomaremos como ejemplo el diodo 1N4148, distribuido por varios fabricantes.

En la Figura 3 se muestra la curva característica de un diodo típico de silicio de pequeña señal trabajando a una temperatura de 27°C. Tomar en cuenta que las escalas para la tensión y la corriente en la región de polarización directa son diferentes a las utilizadas en la región de polarización inversa. Esto ayuda a presentar con claridad los detalles de la curva característica ya que los valores de corriente son mucho más pequeños, y los de tensión mucho más grandes, en la región de polarización inversa que en la región de polarización directa.

En la región de polarización directa, a voltajes menores a 0.6V, los diodos de silicio de pequeña señal conducen muy poca corriente (mucho menos de 1 mA). Si aumentamos el voltaje y superamos la barrera de los 0.6Vo 0.7V, la corriente aumenta rápidamente a medida que se sigue incrementando el voltaje.

En la región de polarización inversa, para diodos de silicio de pequeña señal a temperatura ambiente, la corriente típica es de, aproximadamente, 1 nA. A medida que aumenta el voltaje inverso, la corriente inversa también aumenta. Llega un momento en que el voltaje inverso es demasiado grande y se alcanza la ruptura inversa y la corriente aumenta de valor rápidamente.

El voltaje en el que ocurre esto se llama tensión de ruptura. Por ejemplo, la tensión de ruptura de la curva característica del diodo mostrada en la Figura es, aproximadamente, de 100 V. Las tensiones de ruptura pueden oscilar entre unos pocos voltios y centenares de voltios.